Si・RFデバイスの低電力技術
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概要
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近年の移動体通信市場では部品のLSI化が急速に進んできており、低消費電流化は機器の性能上が不可欠な要素となっている。これは半導体技術の著しい進歩、特にシリコンデバイスの性能と設計技術の向上によるものであり、低価格化や小型化を実現するには安価で集積度の高いシリコンデバイスでの製品化が必須である。一方、低消費電流・低電圧を実現するにはデバイスの性能に依存する。半導体の微細化技術の進歩は、高速性に優れたデバイスを実現させて消費電流の低減を図り回路技術の進歩は低電圧化や節電流化を実現して低電力化を可能としている。又、難解と言われた高周波のアナログ回路もシュミレーション精度も向上して、最適設計が容易となり低電圧化・低電流化が進んできている。本稿ではシリコンデバイスでの低消費電流化・低電圧の議論に参考となる技術解説を行う。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-03-11
著者
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