ディジタル携帯電話用PAの動向

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概要

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• 1987年に初めてGaAs FETを使用した携帯電話用PA(Power Amplifier)モジュールが登場した。GaAs FETはバイポーラトランジスタ、MOS FET等のシリコン系デバイスに比べ高利得、高効率という利点を有している。その為GaAs FET PAモジュールの採用によって長時間動作が可能な非常に小型の携帯電話機が次々と発表され現在のブームに至っている。最近では従来のアナログ方式からより応用範囲の広いディジタル方式への移行が進みつつある。ディジタル携帯電話機の開発には現在も多大な努力が続けられているが最も力が注がれているのは小型軽量化と低動作電圧化である。以下に開発の動向及び、技術的ポイントについて述べる。

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 1996-03-11

著者

• 平野 裕

  (株)富士通カンタムデバイス

• 深谷 潤

  (株)富士通カンタムデバイス

• 深谷 潤

  富士通株式会社 化合物半導体事業部

• 斉藤 淳二

  富士通株式会社 化合物半導体事業部

• 平野 裕

  富士通株式会社 化合物半導体事業部

• 斉藤 淳二

  富士通カンタムデバイス(株)

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