ガウスビーム照射による半導体微細溝形状測定
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概要
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先に、シリコン基板表面に掘られたトレンチを金属または誘電体と考え、これに2次元ガウスビームを照射した際の散乱特性を境界要素法を使って解析し深さと溝幅の測定の限界を調べたが、継続して計算を行い、さらに新しいデータが揃ったので報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-03-11
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