ガウスビーム照射による金属と誘電体トレンチの深さと溝幅測定
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概要
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1MビットDRAM以上のLSIでは、Si基板表面にサブミクロン以上の幅の溝によるトレンチが形成される。前報告では、その形状を非破壊非接触で測定するために、境界要素法とモード整合法を用いて、ガウスビームを完全導体と仮定したトレンチに照射した際の散乱特性を解析し、その変化を定量的に調べた。本報告では、光波長と同等の溝幅のトレンチを金属と誘電体微細溝と仮定して、散乱波よりその深さと溝幅を測定することの限界を調べることを目的として解析を行う。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-03-27
著者
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