C帯40W GaAsMESFET

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概要

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近年、マルチメディアが脚光を浴びマルチメディア伝送を可能とするマイクロ波通信,衛星通信,移動通信等の無線通信システム技術が注目されている。これらシステムに使用される電力用GaAsMESFETは、固体増幅器のキーデバイスであり、高度な無線通信システムを構築するためにデバイスへの高性能化要求が益々強くなっている。今回、我々はこれらの要求に応えるため、高効率化および高出力化を達成するための素子構造を検討し、C帯(f=5.9-6.4GHz)に於いて40W出力のFETを開発したので報告する。
社団法人電子情報通信学会の論文
1996-03-11

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