超小型3GHz帯1W級MMIC電力増幅器

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概要

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GaAs基板厚とSiN膜の薄層化、及び電磁界シミュレーションに基づいた高精度設計を導入して最小配線間隔をプロセス限界値まで狭めることにより、超小型3GHz帯1W級MMIC PAを開発した。このPAのチップサイズは、1.9mm×2.1mmと従来のPAの40%まで縮小された。試作したPAは、3.4から3.8GHzの周波数範囲において線形利得33dB、入出力リターンロス10dB以上の小信号特性を示した。また、1dB利得圧縮時に出力30.5dBm、電力付加効率29%、更に3dB利得圧縮時には出力32.0dBm、電力付加効率41%と従来のPAと同等以上の出力特性を示した。これらの結果から本開発の妥当性が確かめられた。
社団法人電子情報通信学会の論文
2002-01-11

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