CMOSのプロセス及びデバイスのシミュレーション技術(2.半導体デバイスに関するシミュレーション技術)(<特集>電子情報通信を支えるシミュレーション技術)

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る

• プロセスシミュレーションのうち, CMOSの性能設計に寄与する, イオン注入, 拡散, 酸化に焦点を当て, 使用される物理モデルと数値解析手法に関して説明する.また, デバイスシミュレーションに関しては最もポピュラーなドリフト-拡散モデルについて簡単に説明する.シミュレーションの適用例として, デザインマップを利用した0.13μm CMOSの開発と, 0.05μm nMOSのチャネル不純物の挙動に関するシミュレーション結果を紹介する.

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 2000-11-25

著者

• 熊代 成孝

  日本電気株式会社ULSIデバイス開発研究所

• 熊代 成孝

  日本電気株式会社necエレクトロンデバイス

関連論文

• 半導体デバイスの新しいシミュレーション技術〔I〕 : 微細CMOSのシミュレーション技術(1) : CMOSデバイスシミュレーションの高精度化
• CMOSのプロセス及びデバイスのシミュレーション技術(2.半導体デバイスに関するシミュレーション技術)(電子情報通信を支えるシミュレーション技術)
• 半導体デバイスの新しいシミュレーション技術〔II〕 : 微細CMOSのシミュレーション技術(2) : CMOSデバイスの非平衡キャリヤ輸送シミュレーション

スポンサーリンク