超低オン抵抗の横型トレンチMOSFET : 三次元デバイス構造でパワーMOSFETのオン抵抗を25%低減
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概要
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- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-01-25
社団法人電子情報通信学会 | 論文
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