5.超高速低消費電力ディジタルIC (<小特集>化合物半導体デバイスの最近の動向 : 光波・マイクロ波/ミリ波・超高速ディジタル技術を支えるデバイスの研究開発)

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概要

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• GaAsあるいはInP基板上に作製される電界効果トランジスタ(FET)およびヘテロ接合バイポーラトランジスタ(HBT), それらを用いた基本回路について概説し, 現状の性能を紹介する. 更に, 化合物半導体高速低消費電力ICの不可欠な適用分野である光ファイバ伝送用ICの開発の動向と今後の課題について示す.

• 1997-07-25

著者

• 佐野 栄一

  Nttシステムエレクトロニクス研究所

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