電子ビーム支援蒸着によるCeO_2(110)/Si(100)のエピタキシャル成長
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概要
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エピタキシャル成長の低温化を目的として, Eガン蒸着法による成膜中の試料表面に電子ビームを照射する方法を提案し, その効果をCeO_2(110)/Si(100)構造について実験的に検討した. 基板に正バイアスを掛けて電子を引き込む, バイアス蒸着法と電子ビームを照射する, 電子ビーム支援蒸着法の2つを用いた. バイアス蒸着法では10^<-4> A程度の電子電流が得られ, エピタキシャル温度の低減に有効であることが分かった. また, 電子ビーム支援蒸着法では電子のエネルギと電流を独立に制御できる利点があり, 10^<-3> A台の電子ビームを照射することにより, 720℃迄の低温化, 即ち100℃の低温化が達成された.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-08-04
著者
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