p型Si, Geのピエゾ抵抗効果
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概要
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応力・歪み有無の価電子帯構造を厳密に扱い、一定緩和時間近似で電気伝導度を計算しp型Si, Geピエゾ抵抗を求めた。一次および二次のピエゾ抵抗係数は実験をよく説明する。多谷構造のn型Si. Geのキャリア転送によるピエゾ抵抗と異なり、ピエゾ抵抗の大きさは各holeの移動度変化と同じオーダーの大きさでありキャリア濃度変化は数桁小さく、且つ応力の二乗に比例する。バンド端でのholeの状態密度の変化で説明する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-08-04
著者
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