大村 八通 | いわき明星大学理工学部電子工学科
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概要
関連著者
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大村 八通
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いわき明星大 理工
著作論文
- 高温水によるSi中Bのパッシベーション
- 31p-S-6 p-Siのピエゾ抵抗 V : キャリア散乱効果
- 1p-F-16 二軸応力、歪みを受けたSiのホール移動度
- 30p-X-12 p-Ge輸送現象の圧力現象 III (ピエゾ抵抗効果)
- 28a-YM-4 p-Ge輸送現象の圧力効果 II電気抵抗 : ホール係数
- 3p-J-11 p-Ge輸送現象の圧力効果I : 14バンドk-p法
- 28p-G-6 p-Siのピエゾ抵抗 IV : 三次のピエゾ抵抗係数
- 30p-M-2 p型SiおよびGeのピエゾ抵抗の機構
- 27a-W-1 p-siのピエゾ抵抗 III : 2次のピエゾ抵抗係数
- 27a-M-10 p-Geのピエゾ抵抗
- 4a-E-8 p-Siのピエゾ抵抗 II
- 30a-Y-7 p-Siのピエゾ抵抗
- p型Si, Geのピエゾ抵抗効果