CoPt/Ruパターンド膜の磁化機構と熱安定性(高密度記録媒体の開発とその関連技術の進展)
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概要
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CoPt/Ruパターンド膜(膜厚20nm、ドット直径D=80〜245nm)をレーザー干渉法により作成し、磁化機構とパターン媒体への応用について議論した。Dの低下にともないドットの残留保磁力は増加し、7.6kOe(D=80nm)に達した。D=140, 245nmの各ドットのニュークリエーション径は30nm程度と推定され、ドット体積の約5%以下であるが、MFM観察の結果ではドット径に依らずドットは全て単磁区であった。ドット中央部に磁化回転によるニュークリエーションが生じ、瞬時にドット全体に反転が広がっているものと推察された。スイッチング磁界分散SFDは、ドット径の低下にともない単調に低下した。SFDの大きさはc軸の角度分散とドット径分散に関係していると考えられるが、SFDの膜厚依存性についてはさらなる検討が必要である。
- 2005-07-01
著者
-
村岡 裕明
東北大学電気通信研究所
-
島津 武仁
東北大学電気通信研究所
-
三塚 要
東北大学電気通信研究所
-
Lodder J.c.
Smi Mesa+ University Of Twente
-
島津 武仁
東北大学電気通信研究所it21
-
Kikuchi N.
SMI, MESA+, University of Twente
-
KIKUCHI Nobuaki
SMI, MESA+, University of Twente
-
Lodder J.
SMI, MESA+, University of Twente
-
三塚 要
東北大学 電気通信研究所
-
Kikuchi N.
Smi Mesa+ University Of Twente
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