新構造MOSFETを用いた同期整流器
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概要
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MOSFETのオン抵抗低減のために、トレンチゲート構造を採用した新構造MOSFETを開発した。本報告では、開発したMOSFETの構造および特長について述べ、新構造MOSFETをフォワードコンバータのショットキバリアダイオードの代わりに同期整流器として適用した実験結果を示す。実験結果から新構造MOSFETを用いた同期整流器の適用により、DC-DCコンバータの整流損失低減による高効率化に大きな効果があることが明らかとなった。
- 1994-07-19
著者
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高橋 英樹
三菱電機
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菅 郁朗
三菱電機(株)産業システム研究所
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岩田 信幸
福菱セミコンエンジニアリング
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菅 郁朗
三菱電機産業システム研究所
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高橋 英樹
三菱電機福岡製作所
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西原 秀典
三菱電機福岡製作所
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