水素化多結晶GaNを用いた紫外線検出器の実用化と発光素子の可能性(<小特集テーマ>進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
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概要
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III-V(窒素)族化合物半導体(窒化物半導体)の大面積化と低コスト化を目標として非単結晶窒化ガリウムの材料と素子の研究を行ってきた。400℃以下での低温成長と水素化を可能とするリモートプラズマによる成長方法を開発し、ガラス、酸化物導電膜、Al、Siなどの基板に水素化多結晶窒化ガリウム(GaN:H)を成長した。ガラス透明導電膜基板/Mgドープ多結晶GaN:H/Au電極の簡単な構成の素子がUVフォトダイオードとして実用的な感度や応答性、直線性、安定性を示すことを見出した。2001年にこの素子を用いた携帯型紫外線自動計測器を商品化し、多結晶窒化物半導体の実用化にはじめて成功した。この多結晶GaN:H半導体は電流注入発光やヘテロpn接合の形成が確認されており、平面LED素子の実現も期待できる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-06-08
著者
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