その場エッチング/再成長プロセスによる埋め込み型AlGaAs系レーザ
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概要
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塩素ガスを用いたECRドライエッチング装置とMOCVD反応炉とを結合したその場エッチング/再成長プロセスを開発し、比較的簡単なプロセスによりAlGaAs系埋め込み構造を持つ、複合キャビティレーザや面発光レーザを製作した。更にレーザの閾値電流の形状依存性から再成長界面の表面結合速度を推定した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1994-11-18
著者
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