C_2H_5Clを用いた気相エッチングによるAlGaAs,GaAsのエッチング特性と、エッチドファセットレーザの作製

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概要

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塩化エチル(C_2H_5Cl)を用いた気相エッチングにより、エッチングマスクを[0-11]方向に作製した場合、AlGaAs、GaAsにおいて垂直な断面形状が現れることを確認した。in-situで気相エッチング後にMOCVD再成長を行うことにより、この垂直な面をミラー面とし、ミラー面の端面保護膜形成とストライプ方向の埋め込みを同時に行ったエッチドファセットレーザを作製し、室温でのパルス発振を確認した。この成長室におけるガス種の切り替えのみで行うプロセスを採用することにより、端面保護膜付きエッチドファセット埋込みレーザの作製プロセスの工程を大幅に減らすことができる。
社団法人電子情報通信学会の論文
1997-05-22

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