低コンタクト抵抗高耐熱性オーミック電極

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概要

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• n-GaAsへの高耐熱性NiGe(In)オーミックにおいて、硫化アンモニウム処理と水素雰囲気中RTAにより、従来のAuGeNiと同等の低コンタクト抵抗(R_C=0.08Ωmm, pc=3.6×10^<-7>Ωcm^2)を実現した。耐熱性も改善され、400℃、10時間の高温保管においても優れた安定性を示した。このオーミックの微細構造をAES, XRD, AFM, SIMS, TEM/EDSなどを用いて分析し、金属/GaAs界面の残存酸化膜がコンタクト抵抗に大きな影響を与えていることを解明した。このようなオーミック形成メカニズムは、従来のAu系オーミック(AuGeNi)や高耐熱性Pd系オーミック(PdIn(Ge))とは異なっており、GaAsに対するNi, Pd, Auの反応性の差に起因すると考えられる。

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 1998-07-22

著者

• 白石 靖

  Nec光・超高周波デバイス研究所

• 前多 正

  日本電気(株)光・超高周波デバイス研究所

• 白石 靖

  日本電気(株)光・超高周波デバイス研究所

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