InAs基板上のGaAs MBE成長初期過程のSTM観察

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概要

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• InAs(001)基板上のGaAs MBE成長初期過程の表面構造をSTMを備えた超高真空マルチチャンバシステムを用いて評価した。この系では、約0.75ML以上のGaAsを成長することにより、成長モードは2次元から3次元へと変化する。この時、形成される3次元島はすべて[11^^-0]方向に細長い形状をしているが、更に成長量を増加した場合、この異方性は消失し、約2.0MLのGaAsを成長した場合、小さく等方的な島が再構成される。また、これらの島は、更にGaAsを成長すると、結合を繰り返し、大きく成長していくこともSTM観察等から明らかになった。

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 1993-11-18

著者

• 田中 一郎

  光技術研究開発株式会社つくば研究所

• 生駒 暢之

  光技術研究開発株式会社つくば研究所

• 大河内 俊介

  光技術研究開発株式会社つくば研究所

• 田中 一郎

  日本板硝子

• 生駒 暢之

  光技術研究開発株式会社

• 大河内 俊介

  光技術研究開発株式会社

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