半絶縁性GaAs受光素子の波長感度特性
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概要
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半絶縁性GaAs(SI GaAs)基板を能動層として用いた非常に狭い波長領域でのみ感度を生ずる受光素子Band-Edge-Emphasizing Photodetector(BEPD)について報告する。この素子は、照射する光波長における吸収係数の逆数とSI GaAs基板の厚さがほぼ等しくなるときのみ光電流が流れるという原理と、半導体のバンド端吸収がフォトン・エネルギーに依存して急激に変化するという点を利用して作製されている。原理は、SI GaAs中を2つの互いに直列接続された領域に分けて考えるモデルにより説明することができる。また、SI GaAsに特長的な、1.1μm〜1.5μm近赤外波長領域における光感度、および電流増倍機構について報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1993-05-21
著者
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