選択MOMBE成長とその導波路集積型レーザーへの応用

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概要

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光導波路をモノリシックに集積した1.55/1.3μm帯長波長半導体レーザーへの応用を目的にMOMBE法によるInP/GaInAsP選択成長について検討した。MOMBE法の特徴を充分に引き出すために成長温度を485℃と低温に設定し、下地レーザー構造への熱による悪影響を極力抑制した。この制約の中で、Feドーピングによる高抵抗InP, GaInAsP層の成長、サーマルクリーニングの最適化、選択成長形状について検討を加え、選択成長による光導波路のファブリペローレーザーへの良好なバットジョイントを実現した。980μm長の導波路を集積したレーザーのしきい値電流の増加はわずか25%に抑制できた。選択MOMBE法は光集積デバイス対応の要素技術として極めて有望であると結論できる。
社団法人電子情報通信学会の論文
1998-11-05

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