二段階成長法によるSi(111)基板上へのInSbの成長

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概要

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分子線蒸着法において二段階成長を行うことにより、Si(111)基板上に平坦表面と高電子移動度を持つInSb薄膜を得た。薄膜成長においては、Si基板上第1層目にSbが形成された場合は結晶品質を著しく損なうことが明らかとなった。また、その上に形成する予備成長層の成長条件が、最終的なInSb薄膜の特性及び形状に大きな影響を与えることが示された。
社団法人電子情報通信学会の論文
1998-10-30

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