Si(111)初期酸化のSTMによる観察
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概要
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シリコン(111)表面の初期酸化をSTM、STS、及び走査型局所トンネル障壁顕微鏡を用いて観察した。Si(111)面は室温や200℃では7×7構造を保ったまま表面に酸素が吸着する。この時吸着した酸素と下地のSiのわずかな原子間隔の違いからモワレが観測された。600℃ではSiは酸化され酸化膜が形成される。酸化膜の形成は層成長的であるが、生成物が強い1次元性を示し、それが、酸化膜に多くの欠陥を導入している。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1998-08-06