移動度の減少と基板効果を考慮したCMOS自乗回路の一提案

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概要

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小文では、MOSトランジスタの抵抗領域を利用した新しい自乗回路の構成法を提案する。従来回路の自乗特性は、トランジスタの一次的モデルを仮定して実現されている。しかし、実際のトランジスタには移動度の減少や基板効果といった二次的効果があり、回路の自乗特性を劣化させる原因となる。これに対し、提案回路の自乗特性は、移動度の減少と基板効果を含む二次的モデルにより実現され、それらの影響を受けない構成となっているため、その自乗特性は移動度の減少と基板効果により劣化しない。したがって、提案回路は、従来回路に比べ、優れた自乗特性を有する。
社団法人電子情報通信学会の論文
1999-01-20

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