FDTD法に於ける多層導体薄膜のモデル化
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概要
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携帯電話等の無線端末では, 多層導体薄膜から構成されるシールドケースが用いられる場合がある.これらのシールド効果をFDTD法によりシミュレートする際に, 直接モデル化する場合には導体厚以下のセルサイズを用いる必要がある.しかし, 一般的にはシールドケースは金属薄膜の厚みに比べ非常に大きいため, これらのモデル化に要するセル数が膨大になり, 現実的には計算困難となる.本報告では多層構造の導体薄膜を透過する波をFDTD法にて扱うためのサブセル法として, 多層構造の導体薄膜と等しい透過係数を有する無限に薄い抵抗膜を導入する.この手法を用いることで, セル数を増加させることなく, 正確な透過係数をFDTD法にてシミュレートすることが可能となる.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1998-11-27
著者
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