AIN/GaN IG-HFET (Insulated Gate Heterostructure FET) の作製と評価

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概要

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ワイドギャップ半導体であるGaN系材料を用いて、AlN/GaN/AlGaN絶縁ゲート型ヘテロ接合FETを提案した。この素子の一次元モンテカルロシミュレーションを行い、GaInNをチャネルに用いたとき電子濃度は3x10^<13>cm^<-2>程度、真性G_mとして、2.5S/mm程度が予想された。又、AlN (4nm)/GaN (15nm)/AlGaN IG-HFETを試作し、L_g=1.4μmでG_m=220mS/mmとこのクラスでは最高の値がえられた。閾ゲート電圧は約0Vで、これはAlN/金属の非常に高いSchottky障壁を示唆していた。
社団法人電子情報通信学会の論文
1998-01-22

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