超高真空EB蒸着によるNb及びTa薄膜のエピタキシャル成長

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概要

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• X線などの電磁波の照射で生成される準粒子のトンネリング効率の向上が, 超伝導トンネル接合を量子型検出器として動作させるためには重要である。到達真空度4 x 10^<-9> Paの超高真空電子ビーム蒸着により, 基板加熱温度500〜700℃でサファイア基板上にエピタキシャルNbおよびTa薄膜作製を行なった。Nb薄膜では超伝導転移温度(Tc)〜9.3K, 残留抵抗比(RRR)〜50, Ta薄膜ではTc〜4.5K, RRRが45〜140が得られた。

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 2001-07-07

著者

• 佐野 尚樹

  山口大学工学部機能材料工学科

• 諸橋 信一

  山口大学工学部機能材料工学科

• 伊村 領太郎

  山口大学工学部機能材料工学科

• 鈴田 雅敏

  山口大学工学部機能材料工学科

• 諸橋 信一

  山口大学工学部

• 鈴田 雅敏

  山口大学工学部

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