電力用トランジスタGTBTの開発

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概要

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• GTBTはバイポーラ型JFETに絶縁トレンチ電極を導入することにより,アバランシ降伏までもち堪えるノーマリ.オフ特性のほか,高い電流利得,高速スイッチングなどを獲得している素子である.本論文はGTBTの構造概要,動作原理,高い特性を得るための設計の概要,試作したチップの諸特性について報告する.

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 2002-09-01

著者

• 浅田 邦博

  Vdec 東京都

• 村上 善則

  東京大学大学院工学系研究科

• 浅田 邦博

  VDEC,東京都

• 村上 善則

  東京大学大学院工学系研究科:日産自動車(株)総合研究所電子情報研究所

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