高抵抗Si基板を用いた2GHz帯SOI低雑音増幅器

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概要

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高抵抗Si基板とSOI CMOS技術を組み合わせることで,ラッチアップの心配がない,高周波特性に優れたMOSFETと低損失スパイラルインダクタを実現した.0.25μm nMOSFETにおいては,低抵抗Si基板バルクnMOSFETのf_Tが23GHzに対して,高抵抗Si基板SOIでは35GHzのf_Tが得られた.スパイラルインダクタにおいては,低抵抗Si基板を用いた場合,そのQ値は5であり,高抵抗Si基板を用いた場合は,Q値が8まで改善できることを確認した.更に,本論文では,nMOSFETのソースに直列にインダクタを接続し,2GHz帯低雑音増幅器の設計を行った.試作したSOI低雑音増幅器は,周波数2.0GHzにおいて,利得16.6dB,NF1.9dBの特性を実現した.
社団法人電子情報通信学会の論文
2002-07-25

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