低温ポリシリコンTFTの光電流に関する解析とデバイスシミュレーションを用いたLDD設計
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概要
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低温poly-Si TFTの光電流を抑えるための設計指針を示した.光電流は, チャネル/ドレーンの接合部に空乏化した領域が形成され, この部分で発生する.空乏層の長さを求めるため, 低温poly-Siの状態密度のモデリングを行いTFTのデバイスシミュレーションを行った.これより光電流を6pA以下に抑えるためには, LDD部の長さを1μm以上確保しシート抵抗を30kΩ/□から70kΩ/□の範囲とすることが必要であることを見出した.併せて実際にデバイスを作成して実証した.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2001-10-01
著者
-
千田 耕司
松下電器産業株式会社
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筒 博司
松下電器産業(株)中央研究所
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南野 裕
松下電器産業(株)映像・音響研究センターディスプレイ研究所
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真下 俊次
松下電器産業株式会社ディスプレイデバイス開発センター
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倉増 敬三郎
松下電器産業株式会社ディスプレイデバイス開発センター
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南野 裕
松下電器産業株式会社
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筒 博司
松下電器産業
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筒 博司
松下電器産業株式会社
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