環境半導体β-FeSi_2の格子ひずみと光学特性
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
イオンビーム合成法によって作製した多結晶β-FeSi_2膜の光学特性を格子ひずみの関係で調べた.X線回折法によって決定した格子定数はバルクとは異なり, 著しいα軸の伸展, bとc軸の圧縮及び格子体積の膨張が観察された.アニール温度や時間の違いによって, 格子体積は収縮から膨張に変化し, 光学吸収端は, 収縮したβ-FeSi_2格子では間接遷移を, そして膨張した格子では直接遷移を示した.これらの実験結果を踏まえて, 格子変形したβ-FeSi_2のエネルギーバンドの第1原理計算を行い, 計算結果によって, 格子ひずみによるバンドギャップへの影響を考察した.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-12-25
著者
関連論文
- X線光電子分光法によるポリシランの電子状態の研究
- 粥状動脈硬化部位コレステロールエステルの自由電子レーザー分解に関する基礎的検討
- β-FeSi_2/n-Siへテロ接合の作製と光電特性
- イオン注入法によって作製したβ-FeSi2:光起電力特性と準安定γ相 (〈特集〉環境半導体)
- 環境半導体・鉄シリサイドの作製 (ポスターセッション特集(1))
- シリサイド半導体の電子構造と応用への展望
- 新たな半導体材料としての高純度金属 (特集1 ITと高純度金属)
- 環境半導体β-FeSi_2の格子ひずみと光学特性