金属、半導体量子ドットトランジスタの電流特性の解析
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概要
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ここでは、量子ドットとして金属あるいは真性半導体を用いたときの電流特性について確率過程論から解析している。この結果として、逆ゲート電圧時を含めての定常状態での無限個の状態確率への解析解を示す。また、半導体を量子ドットに用いた場合については、ソースにN型、ドットにI型、ドレインにP型を用いるNIP構造を提案し、この構造でのゲート電圧に対する電子、正孔電流特性を解析している。これより、半導体量子ドットトランジスタでは電子、正孔電流の切り替えが可能であることを示している。
- 2003-02-04
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