Fe-N薄膜の生成に及ぼすバイアス効果
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概要
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Fe-N thin films were prepared on crystallized glass and MgO (100) single-crystal substrate at room temperature by RF sputtering with an RF bias Ranging from 0 W to 75 W at a deposition rate of between 0.5A/s and 0.8A/s. The X-ray diffraction peaks of γ-Fe_4N decreased with increasing RF bias. In Fe-N thin films prepared on crystallized glass, an α''-Fe_<16>N_2 phase and α'-martensite phase were not formed, and the saturation magnetization M_s of the films did not exceed that of bulk α-Fe. In the Fe-N thin films prepared on MgO (100) single-crystal substrate with RF biases of 20W and 25W, α'-martensite phase were formed. The M_s for an RF bias of 20W was 227 emu/g, which was 4.1% higher than that of bulk α-Fe.
- 社団法人日本磁気学会の論文
- 1998-04-15
著者
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