微小重力環境下での熱CVD法によるSnO_2薄膜堆積実験(<小特集>微小重力環境を利用した結晶成長)
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概要
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SnO_2 thin films were deposited by thermal Chemical Vapor Deposition (CVD) under micro-gravity (μg) utilizing parabolic flight of airplane and compared with films deposited under normal gravity (1g) environment. The films were deposited on Si substrates at the substrate temperature of 500℃ for 13seconds from the reactant gas of SnCl_4 and O_2 transported by Ar carrier gas It is found that SnO_2 thin film thickness deposited under μg is flatter than that under lg. The results were discussed with the carrier gas flow pattern obtained from the visualization experiment using a drop tower as well as the simulation calculation results by SIMPLE approximation.
- 日本結晶成長学会の論文
- 2002-10-05
著者
-
濱川 圭弘
立命館大学大学院
-
濱川 圭弘
立命館大学理工学部電子光情報工学科
-
高倉 秀行
立命館大学理工学部
-
濱川 圭弘
立命館大学
-
松井 慶輔
立命館大学理工学部電子光情報工学科
-
入江 徳郎
立命館大学理工学部電子光情報工学科
-
小橋 嘉寛
立命館大学理工学部電子光情報工学科
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村上 貴俊
立命館大学理工学部電子光情報工学科
-
高倉 秀行
立命館大学理工学部電子光情報工学科
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