ACCMによるSiC生成のin-situ観察 : 微粒子I
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概要
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By heating of the silicon core-carbon mantle particles produced by ACCM (Advanced Carbon Coating Method), formation process of α-SiC particles by the solid reaction between carbon and silicon have been observed by the use of electron microscopic heating stage. α-SiC particles were produced at 500℃. The diffusion of silicon into carbon mantle and carbon into silicon crystal has been observed. Two processes on the formation of silicon carbide are discussed as the size effect of silicon particles.
- 2002-07-01
著者
-
墻内 千尋
立命館大理工
-
鈴木 仁志
立命館大学理工
-
木村 勇気
立命館大学
-
齋藤 嘉夫
京都工繊大
-
鈴木 仁志
立命館大・理工
-
墻内 千尋
立命館大-理工
-
木村 勇気
立命館大 理工
-
石河 学
立命館大理工
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