反応性スパッタリング法によるMgO(001)基板上へのCu_2O薄膜のエピタキシャル成長 : エピキタシャル成長V
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
We studied the epitaxial growth condition for Cu_2O film on MgO(001) substrate by reactive magnetron sputtering. We used RHEED to determine film structure and orientation. Main orientation between the film and the substrate is Cu_2O(110) // MgO(001) and Cu_2O[110] // MgO [100]. We will discuss some factors playing an important role on the epitaxial growth.
- 日本結晶成長学会の論文
- 2000-07-01
著者
関連論文
- 反応性スパッタリング法によるMgO(001)基板上へのCu_2O薄膜のエピタキシャル成長 : エピキタシャル成長V
- 金属酸化物薄膜の成長機構解明のための課題
- Si(lll)-7×7超格子表面上に成長するSi層の核形成過程 : 薄膜成長I
- 31p-S-2 Si/Si(111)低温エピタキシー膜の初期構造形成III : RHEED・STMによる観察
- 5a-Q-5 Si/Si(111)低温エピタキシー膜の初期構造形成II : RHEED/STMによる観察
- Si(111)-7x7表面上のSi低温エピタキシャル成長の初期過程 : RHEED・STMによる観察 : 気相成長IV
- ホモエピタキシャル成長表面のモルフォロジ-と成長機構 (原子レベルでの結晶成長機構) -- (成長表面と界面構造)
- 14a-DH-3 Si/Si(111)低温エピタキシー膜の表面構造変化
- Si(111)-7×7表面上のSi膜の低温エピタキシャル成長 : エピタキシャル層のアモルファス化
- 27a-ZF-13 Si(111)表面上のSi低温エピタキシー薄膜のLEED
- 25p-PS-53 Si(111)超格子表面上のSi薄膜の表面構造形成 II : 成長条件と表面構造
- 水素化アモルファスシリコン薄膜の構造とその特性-2-構造と特性
- 水素化アモルファスシリコン薄膜の構造とその特性-1-成長過程
- 無機基板へのポリフッ化ビニリデンの真空蒸着
- AFMによる高分子超薄膜の成長初期過程の観察 : 有機物・高分子
- イオンビームスパッタリング法によるTiO_2薄膜の構造制御 : 薄膜
- 両面研磨したSiウエハー基板上のポリフッ化ビニリデン蒸着膜成長初期の赤外反射・透過スペクトル : 薄膜成長II
- ワッカビニリデン蒸着膜の分子配向一基板による制御 : 有機結晶(一般)II
- 28p-WC-3 Si/Si(111)低温エピタキシー膜の初期構造形成
- 29aB11 有機物質の真空蒸発過程における蒸気圧測定(有機結晶II)
- 29aB10 フッカビニリデン分子による薄膜成長(有機結晶II)
- 25a-B-9 Si(111)超格子表面上のホモエピタキシャル成長
- エアロゾルCVD法による金属酸化物の薄膜コーティング
- 横浜市立大学における薄膜成長研究
- 表面薄膜物性のねらい:質合成・反応の視点
- 4a-PS-33 Si(111)超格子表面上のSi薄膜の表面構造形成
- 30p-TA-3 Si(111)-7×7表面上のa-Si極薄膜のLEED
- 5a-T-5 固相エピタキシーにおけるSi表面の構造変化 : 下地からの方位近接効果
- 3a-Q-9 高感度反射赤外吸収スペクトル法による高分子薄膜の分子配向評価
- 4a-B4-1 固相エピタキシーにおけるSi表面の構造変化III
- スパッタリングにより形成された薄膜の内部応力
- 真空蒸発法による高分子薄膜の成長
- Si固相エピタキシーにおける構造形成 : エピタキシーI
- 28a-J-7 アモルファス半導体膜の構造形成
- 3p-WA-5 アモルファスSb蒸着膜の結晶化過程
- 5p-E-2 低速電子線の表面波共鳴とエネルギー損失スペクトル:Si(O01)
- 3a-P-8 アモルファスSb蒸着膜における六角板状結晶の生成条件III
- 3p-RJ-7 低速電子線の表面波共鳴と表面プラズマ:Si(111)
- 1a-KD-1 アモルファスSb蒸着膜における六角板状結晶の生成条件
- 11p-A-13 超周期構造に関連した低速電子線励起による表面プラズマの分散測定
- 12a-N-7 アモルファスSb蒸着膜の成長過程における密度変化と結晶化
- 27a-Y-1 Si(111)面における低エネルギー電子の回折条件とELS
- 27a-F-8 アモルファスSb蒸着膜の結晶化における表面エネルギー効果
- 2a-E-6 低エネルギー電子損失スペクトルにおける表面波共鳴 III
- 2p-B-9 室温より低温で蒸着したアモルファスSb膜の結晶化
- 30p-M-9 低エネルギー電子損失スペクトルにおける表面波共鳴II
- 4a-NR-10 低エネルギー電子損失スペクトルにおける表面波共鳴
- 1a-BA-3 Ge,GeO_x 膜下地上のSb膜の成長
- 10p-E-3 SiO_x膜下地表面の違いによる非晶質Sb膜の結晶化膜厚の変化
- 7a-N-7 金属極薄膜の低エネルギー電子分光 (II)膜の電子顕微鏡観察との比較
- 8a-H-4 非晶質蒸着膜の結晶化膜厚
- 28a-Q-1 粉末ポリエチレンの真空蒸発過程(28aQ 結晶成長)