6H-Si(0001)Si面成長におけるA1,Bドーピング特性
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概要
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Distribution of p-type dopants was characterized in 6H-SiC{0001}wafer grown by the sublimation method. A colored ring pattern was observed in the central part of the wafer grown on(0001)Si-face. Secondary ion mass spectroscopy(SIMS)analysis found that A1-and B-concentration increased in the dark gray areas.
- 1997-07-01
著者
-
谷 俊彦
(株)豊田中央研究所
-
神谷 信雄
豊田中央研究所
-
神谷 信雄
(株)豊田中央研究所材料2部無機材料研究室
-
岡本 篤人
(株)豊田中研
-
杉山 尚宏
(株)デンソー基礎研
-
神谷 信雄
豊田中研
-
神谷 信雄
(株)豊田中央研究所研究5部52研究室523グループ
-
杉山 尚宏
(株)豊田中央研究所
-
谷 俊彦
株式会社豊田中央研究所
-
神谷 信雄
(株)豊田中央研究所
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