昇華法によるSiCバルク単結晶成長 : SiC結晶成長技術の現状と課題
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 2001-05-10
著者
関連論文
- 熱処理による炭化珪素中マイクロパイプ欠陥の修復 : カーボンナノ合成
- 触媒化学気相成長法を用いたカーボンナノチューブ構造制御合成 : カーボンナノ合成
- 触媒化学気相成長法によるカーボンナノチューブ高純度合成:ナノテクノロジーの基幹物質のために
- 昇華法によるSiCバルク単結晶成長 : SiC結晶成長技術の現状と課題
- 2B21 六方晶 SiC 単結晶の内部歪みの光弾性評価
- 昇華法によって育成した窒素含有6H-SiC単結晶の評価
- 6H-Si(0001)Si面成長におけるA1,Bドーピング特性