Si基板上へのGaAsの成長とデバイスへの応用

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概要

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• Direct growth of GaAS layers on Si substrates and the applications to devices are reported. Instead of the large lattice mismatch of 4% between these materials and the polar on nonpolar problem, single domain GaAs layers with a mirror-like surface were grown on (100)-oriented Si substrates by heat treatment at high temperatures and a subsequent two-step growth sequence at low temperatures and then at the conventional growth temperature. RHEED and cross sectional TEM observation showed that the atoms in the first layer rearranged themselves when the wafer was reheated to the conventional growth temperature and most of the dislocations due to the lattice mismatch were confined near the GaAs/Si interface.

• 日本結晶成長学会の論文
• 1987-04-25

著者

• 秋山 正博

  沖電気

• 上田 孝

  沖電気

• 秋山 正博

  沖電気・半導体技術研究所

• 西 清次

  沖電気・半導体技術研究所

• 河原田 美裕

  沖電気・半導体技術研究所

• 上田 孝

  沖電気・半導体技術研究所

• 上西 勝三

  沖電気・半導体技術研究所

• 西 清次

  沖電気工業

• 西 清次

  沖電気工業株式会社

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