12p-H-7 窒素イオン注入Siにおける横方向光電圧効果の過度応答特性

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 1972-10-10

著者

• 丹生 博彦

  姫工大電子

• 山内 健次

  姫工大電子

• 松田 哲郎

  姫工大電子

• 高井 宗三

  姫工大電子

• 丹生 博彦

  姫路工大工

• 丹生 博彦

  姫路工大

• 高井 宗三

  姫路工大

関連論文

• Al/Si界面の酸化 (電子材料・デバイス論文特集)
• マイクロ波励起酸素プラズマによるSi上のAl膜の酸化
• 12p-H-7 窒素イオン注入Siにおける横方向光電圧効果の過度応答特性
• SF_6に対する電子付着係数と生成負イオンの再結合率
• 28p-PS-126 Y系酸化物超伝導体のハロゲン元素置換効果II
• マイクロ波励起酸素プラブマによるSi上のAl膜の酸化
• 高真空領域における活性アルミナトラップの効果
• 中心線電極を有する冷陰極電離真空計の放電特性 (続報)

スポンサーリンク