30p-N-10 InSbにおける表面波の磁場中増幅
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1971-09-30
著者
-
鳳 紘一郎
電総研
-
早川 尚夫
電子技術総合研究所 田無分室
-
御子柴 宣夫
電子技術総合研究所
-
早川 尚夫
電総研田無
-
高田 進
電総研田無
-
鳳 紘一郎
電総研田無
-
御子柴 宣夫
電総研田無
-
高田 進
電子技術総合研究所 田無分室
関連論文
- Gunn効果による超音波による発生 : 音波物性シンポジウム
- 11p-W-6 CdSにおける表面弾性波コンボリューションの光エンハンスメント
- 表面弾性波と電子の相互作用(基研短期研究会「固体内のフォノンおよび電子表面状態の理論」報告)
- 2a-N-5 InSb MIS構造における表面弾性波の伝播
- 30p-N-10 InSbにおける表面波の磁場中増幅
- 5a-L-5 GaAsの低周波振動のメカニズム
- 9a-H-7 超伝導Al薄膜の非線形電気伝導
- 3p-D-11 Fluctuations in the Resistive Transition in Al Films
- 砒化ガリウムを用いた超音波発生検出素子
- 2a-TC-7 77°Kにおけるn-InSbの音響磁気電気効果
- クライオ・エレクトロニクス技術の展望 (クライオ・エレクトロニクス技術)
- ジョセフソン素子 (′80年代の2大技術マイクロエレクトロニクス・オプトエレクトロニクスを展望する) -- (マイクロエレクトロニクス)
- ジョセフソン素子によるコンピュ-タの開発
- 高周波放電酸化法によるジョゼフソン素子特性
- 5a-L-2 表面波と半導体内キャリアとの相互作用を通した表面物性(1)(非線型効果)
- 29p-Q-1 シリコン集積回路の高密度化
- 2)表面波メモリコリレイターを使ったフーリエ変換イメージング(テレビジョン電子装置研究会(第74回))
- 表面波メモリコリレイタを使ったフーリエ変換イメージング
- 半導体表面波デバイス
- ジョゼフソン素子技術