基礎科学及び電子材料 : Pb(Ti, Zr, [Fe_<1/2>Ta<1/2>]O_3多結晶固溶体の焦電特性
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本セラミックス協会の論文
- 1978-11-01
著者
関連論文
- 金属アルコキシド法による金属導電性BaPbO_3薄膜の作製と導電性
- イットリア部分安定化ジルコニアにおけるビッカース圧子下のき裂形状と破壊靱性の測定
- ペロブスカイトPb(Ni_Nb_)O_3薄膜の合成
- 金属アルコキシドチタン酸バリウム前駆体のゲル化と結晶化
- 強誘電体薄膜用電極材料としての高密度BaPbO_3焼結体の作製と電気的及び熱的特性
- (Pb,La)TiO_3系セラミックスにおける高温誘電特性の粒径依存性
- イットリア部分安定化ジルコニアの疲労
- ホットプレスによるチタン酸バリウム鉛セラミックスの焼結とPTCR効果
- チタン酸バリウム半導体のPTCR特性に影響を与える要因についての考察
- 基礎科学及び電子材料 : Sialon系のβ'と15Rの酸化抵抗
- 基礎科学及び電子材料 : 弱電界下での(Ba, Sr)TiO_3強誘電体薄膜の物理特性
- 基礎科学及び電子材 : ZnIn_2S_4 における空間電荷制限電流測定
- 基礎科学及び電子材料 : Pb(Ti, Zr, [Fe_Ta]O_3多結晶固溶体の焦電特性
- 基礎科学及び電子材料 : チタン酸ジルコニウム鉛における新しい相転移
- 基礎科学及び電子材料 : 低抵抗硫化カドミウム単結晶の光変形の機構
- 真空蒸着法によるSr-Te-O系アモルファス薄膜における電流切断現象
- ZnTeとZn_Cd_xTeの液相エピタキシャル成長
- 高電圧シリコンダイオードにおける絶縁破壊と抵抗細溝の研究
- 感光性膜TiO_2膜上での核形成反応
- シリコン装置上への不動態被覆
- いくつかの蛍光体の絶対X線効率
- 窒化アルミニウム膜の調製と特性
- ZnO中の過剰Znの測定 ; 相境界Zn-Zn_1+xO
- オージェ電子分光を用いて測定されたコバルト硬化金からのコバルトの拡散
- (001)配向シリコンウエハー中の交叉すべり転位とそれらの増殖
- ゾルーゲル法の特徴と問題点
- La添加半導体BaTiO_3のキュリー温度とPTCR効果に及ぼすMnの影響
- 高キュリー点チタン酸バリウム鉛セラミックスにおける組織とPTCR特性に及ぼすBNとBi_2O_3の添加効果(センサー・バリスター)(導電性セラミックス)
- 固相分散系を用いた粉体微粒子の誘電率および導電率測定(粉体小特集)
- (Pb, La)TiO_3 系セラミックスにおける異常誘電特性の複素インピーダンスによる解析
- PbTiO_3系セラミックスにおける圧電特性の組織依存性 : 物性・応用
- アンチモンをドープしたチタン酸バリウムの湿式合成