炭化ケイ素セラミックスの耐酸化性評価
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概要
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Five kinds of silicon carbide ceramics were oxidized in flowing dry air at 1300 ℃ for 360 h and 1000 h, and oxidation behavior was studied by measuring the weight gain and thickness of oxide layer and of unoxidized substrate, in which the weight loss by evaporation of some species from the oxide layer during oxidation was taken into account. The change of thickness of substrate was complicated, and some samples expanded during oxidation. Therefore, no direct correlation is possible between evaporation and dimensional change of substrate. To evaluate the oxidation resistance correctly, the thick-ness, density and texture of the oxide layer must be examined together with the weight gain.
- 社団法人日本セラミックス協会の論文
- 1988-07-01
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