窒化ケイ素セラミックスのCr蒸気メタライジング
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概要
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Formation of Cr-metallized layer on the surface of Si_3N_4 ceramic by the vapor-diffusion method was studied. The metallization was carried out in a quartz capsule at 1273 K for up to 72 ks. As a vapor source, pure Cr powder was used. The kinetics of layer growth was parabolic with the rate constant of 1.0X 10^<-14> ^m3 . ^s<-1> at 1273 K. The metallized layer was composed of two lyers ; Cr_2N and CrN at the surface layer and Cr_2Si at the inner layer as identified by the X-ray diffraction analysis. The hardness of the metallized layer increased gradually from H_υ 668 at surface to H_υ 1179 at inner part.
- 社団法人日本セラミックス協会の論文
- 1988-01-01
著者
-
成田 敏夫
北海道大学大学院工学研究科
-
高島 敏行
北海道工業大学
-
山本 強
北海道工業大学工学部機械システム工学科
-
山本 強
北海道工業大学工学部システム工学科
-
成田 敏夫
北海道大学 エネルギー・マテリアル融合領域研究センター
-
成田 敏夫
北海道大学
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