ポリカルボシランの多段含浸法によるSiC-SiCウイスカー複合体の作製
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概要
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SiC-SiC whisker composite was fabricated by infiltra tion of polycarbosilane (PCS) as a precursor for matrix into the whisker preform followed by the pyroly sis process. The density was improved by repetitive infiltration into the composite with low density. The bending strength at room temperature and 1200℃ was also improved by increased density. The strength at high temperature was the same as that room tempera ture. Two liquids were employed for infiltration; n hexane solution of polycarbosilane and molten polycar bosilane were infiltrated. The density was improved to ca. 2g cm^<-3> by the infiltration of these liquids. The composite modified by solution infiltration tended to have higher bending strength than that by molten PCS infiltration for the same density.
- 社団法人日本セラミックス協会の論文
- 1994-07-01
著者
-
近藤 功
大阪工業技術研究所
-
玉利 信幸
大阪工業技術研究所
-
田中 隆裕
大阪工業技術研究所
-
岩佐 美喜男
大阪工業技術試験所
-
岩佐 美喜男
大阪工業技術研究所材料物理部
-
岩佐 美喜男
大阪工業技術研究所
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