SiO_2スパッタ薄膜中に分散したCu粒子のTEM観察

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概要

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• Cu doped SiO_2 films have been prepared on quartz sub strates by an RF magnetron sputtering method. An as sputtered film showed no renection peaks in the X-ray diffraction pattern. Results of TEM observations of the as sputtered film indicated that Cu particles have a mean size of ca. 8.0 nm, and that they were dispersed homogeneously in Si0_2・ Some reflection peaks ap peared in X-ray diffraction pattern of a Cu doped SiO_2 film heated at 600℃. Heating at 600℃ increased the mean size of Cu particles slightly.

• 社団法人日本セラミックス協会の論文
• 1994-03-01

著者

• 岡田 元次

  愛媛大 工

• 松嶋 茂憲

  愛媛大学工学部応用化学科

• 小林 健吉郎

  愛媛大学工学部応用化学科

• 岡田 元次

  愛媛大学工学部応用化学科

• 奥山 哲也

  住友シチックス(株)シリコン技術本部

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