シリカガラスへのイオン注入による誘起欠陥のハロゲンによる抑制効果

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概要

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• Method to restrict imperfections ill silica glass under ion implantation was examined. Silica glasses doped with fluorine or chlorine ions were prepared. Optical absorption bands peaking at 5.14 eV and 7.6 eV were observed in Xe^+ ion implanted silica. Both intensities decrease with the increase of the fluorine concentration in silica. The absorption bands at 5.14 eV and 7.6 eV were assigned to Si-Si structure and peroxy radical (POR) or oxygen vacancy (Si-Si bond). The mechanism will be that the displaced fluorine terminates POR and Si-Si structure.

• 社団法人日本セラミックス協会の論文
• 1994-11-01

著者

• 粟津 浩一

  産業技術総合研究所

• 粟津 浩一

  電子技術総合研究所

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