イットリウムシリケート/炭化ケイ素系積層材料におけるY_2SiO_5-SiCとY_3Al_5O_<12>-SiCの反応
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概要
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The reactions of Y_2SiO_5-SiC and Y_3Al_5O_<12>-SiC in Y_2SiO_5/RBSiC layered composites were investigated with regard to gas generation in the interface regions. In these composites, Y_2SiO_5 and Y_3Al_5O_<12> were found to have existed as grain-boundary phases in SiC in a 300 μm thick layer from the interface. From the results of thermal analysis of Y_2SiO_5-SiC and Y_3Al_5O_<12>-SiC mixed powders and mass analysis of gases generated from the layered composite during heating to 1500℃, it was found that both grain-boundary phases reacted with SiC to generate the gases. This gas generation brings about void formation at the interface, which lead to exfoliation of the layer. Therefore, these reactions between grain-boundary phases and SiC are responsible for limiting the heat resistance of the Y_2SiO_5/SiC layered composite.
- 社団法人日本セラミックス協会の論文
- 2000-09-01
著者
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深澤 孝幸
(株)東芝 研究開発センター
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加藤 雅礼
(株)東芝 研究開発センター
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五戸 康広
(株)東芝 研究開発センター
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深沢 孝幸
(株)東芝 研究開発センター
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五戸 康広
(株)東芝研究開発センター
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五戸 康広
(株)東芝 研究開発センタ- 材料・デバイス研究所
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