TiB_2粒子分散SiCの酸化機構とSiC-CVDコーティングによる酸化防止
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概要
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Oxidation mechanism of TiB_2 particle dispersed SiC (TiB_2/SiC) was studied by microstructural analysis and the oxidation protection by using SiC-CVD coating was tested. The microstructural observation and element analysis by transmission electron microscope indicated that Ti existing at the grain boundary between TiB_2 particle and SiC particle of TiB_2/SiC was oxidized selectively at early oxidation stage. TiB_2/SiC was suggested to be oxidized further because the oxidation products providing O_2 diffusion path. The oxidation resistance of TiB_2/SiC was successfully improved by SiC-CVD coating because the coating on TiB_2/SiC was thought to restrain the O_2 diffusion by the formation of thin SiO_2 layer, the oxidation product of SiC-CVD coating
- 社団法人日本セラミックス協会の論文
- 1997-08-01
著者
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