シリコンオシキカーバイドセラミックス中の遊離炭素の酸化挙動のラマン分光法による解析
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概要
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Tantalum and niobium containing silicon oxycarbide ceramics were prepared from hybrid gels through cohydrolysis with methyltriethoxysilane and pentaethoxyniobium/tantalum, and pyrolysis at 1000℃. To investigate the behavior of free carbon in Si-Nb-C-O and Si-Ta-C-O ceramics, Raman spectroscopy was used. The spectra obtained before oxidation showed a higher shift of the G band at around approximately 1610 cm^<-1>, which means a cumulative band of G and D'. After oxidation, however, a symmetric G band, the shift toward a normal position at 1580 cm^<-1> and a weaker background were detected. These phenomena were found to strongly correlate with the oxidation of carbon reactive sites. i.e., those of radical and edge carbon species in tiny graphene layer of free carbon.
- 社団法人日本セラミックス協会の論文
- 2004-11-01
著者
-
福島 学
(独)産業技術総合研究所
-
安田 榮一
東京工業大学応用セラミックス研究所
-
田邊 靖博
東京工業大学応用セラミックス研究所
-
福島 学
東京工業大学応用セラミックス研究所構造デザイン研究センター
-
寺西 義一
東京工業大学応用セラミックス研究所構造デザイン研究センター
-
中村 和正
東京工業大学応用セラミックス研究所構造デザイン研究センター
-
安田 榮一
Materials And Structures Laboratory Tokyo Institute Of Technology
-
田邊 靖博
名古屋大学工学研究科
-
田邊 靖博
Materials And Structures Laboratory Tokyo Institute Of Technology
-
安田 公一
東京工業大学大学院材料工学専攻
-
安田 榮一
東京工業大学
-
福島 学
産業技術総合研究所
-
田邊 靖博
東京工業大学工業材料研究所
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